散热问题已成为封装器件快速发展的瓶颈

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AIN陶瓷基板


连年来,集成电路及高功率LED器件行业飞速成长。跟着功率器件事情电压及电流的增加,芯片尺寸的不绝减小,芯片的功率密度急剧增加,散热问题已成为封装器件快速成长的瓶颈。氮化铝(AlN)具有优良的高热导性,且绝缘机能佳,VR彩票,是新一代基片的抱负质料,更是办理大功率的LED器件、LD、晶体管、集成电路和IGBT等封装器件散热瓶颈的最优选质料。

我公司深入研究高散热AlN陶瓷基板质料制备、外貌金属化、模组封装等技能,回收自主创新技能制备AlN膜片,专门合用于大功率LED器件集成封装的应用基板质料,且在质料散热机能、抗弯强度和封装后LED 器件的机能方面优势明明。该产物,经权威检测及客户反馈,完全满意应用需求。 


氮化铝陶瓷基板产物机能参数

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                            氮化铝陶瓷基片通例尺寸                           

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氮化铝陶瓷圆片通例尺寸

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                                                                                    注:其余尺寸可定制加工。

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